LSIデザインサービス
メモリ開発
大容量化が進むメモリ開発において、DRAM、フラッシュメモリともに豊富な設計経験を持ち、お客様のニーズに合わせた様々なご提案が可能です。また、その他各種メモリにも対応が可能です。
メモリ開発技術概要
■ DRAM設計開発
最先端技術を用いたPC向けの汎用高速DRAM、カスタムDRAM、携帯向けの擬似SRAM等、各種設計に対応しています。
・綿密なフロアプラン検討による面積縮小化
・特性に影響するRead/Writeバス配線の最適設計
・ノイズや静電気対策を考慮したレイアウト設計
・お客様と密接なコミュニケーションによる設計効率化の推進が可能です。
◆ 製品設計実績
・SDRAM (SDR, DDR, LPDDR, DDR4)
プロセス：1Xnm-65nm
容量：16M-8GB
・カスタムDRAM
プロセス：20-30nm
容量：1-2GB
・モバイルDRAM（疑似SRAM）、積層製品・TSV等
■ フラッシュメモリ設計開発
大容量フラッシュメモリからカスタム的な小容量メモリまで一貫設計を行います。
また、RTL記述設計、自動レイアウト導入、ミックスドシグナル検証手法等をご提案します。
◆製品設計実績
・モバイル用途大容量フラッシュメモリ
・ファイル向け大容量フラッシュメモリ
・デジタル家電向け小容量フラッシュメモリ
・マイコン内蔵フラッシュマクロ
・不揮発性メモリIP
◆実績のあるフラッシュメモリ方式
| メモリセル技術（構造） | メモリセル技術（メモリセル方式） | 動作原理（書き込み） | 動作原理（消去） |
|---|---|---|---|
| フローティングゲート | NOR型 | Hot Electron | Tunneling |
| フローティングゲート | NAND型 | Tunneling | Tunneling |
| フローティングゲート | 標準EEPROM | Tunneling | Tunneling |
| フローティングゲート | 3Tr-Type EEPROM | Tunneling | Tunneling |
| フローティングゲート | カスタムフラッシュ | Hot Electron | Tunneling |
| SONOS構造 | Virtual GND型 | Hot Electron | Hot Hole |
■ SRAM設計開発
汎用メモリ及び組み込み用メモリのSRAM設計を行います。コンパイル型のマクロ設計も対応しています。
・標準SRAM
・デュアルポートSRAM
・マルチポートSRAM
・各種SRAMマクロ開発
・コンパイルド型SRAMマクロ
■ EEPROM/EPROM/OTP/MaskROM設計開発
バイト単位で書き込み消去が可能な用途の広いメモリです。ICカード用の中容量EEPROM、小ピン対応のシリアルEEPROMがあります。
・パラレルEEPROM
・シリアルEEPROM（I2C/SPI BUS）
・EEPROMモジュール（マクロ）
・低電圧MROM(1.0V以下)
■ 連想メモリ(CAM)設計開発
連想メモリとは、保存された大量の参照パターンと入力パターンを比較して類似パターン検索を行う特殊メモリです。用途はネットワーク機器などです。
・BnaryCAM
・TernaryCAM
不揮発性メモリ設計開発
■ 不揮発性メモリIP開発
お客さまのご要望に応じて、汎用品にはない、特殊メモリ等の開発を行ないます。メモリセルの動作原理に対応した、テスト回路、信頼性評価方法等を提案します。
また、メモリIPは弊社パートナーからのご購入も可能です。お客様のご要望に応じて
開発・設計、及び契約締結などのサポートをご提案します。
OTP,MTPメモリIPのパートナー ： NSCore株式会社
■NSCore 不揮発性メモリ例 ：TwinBit
標準ロジック・プロセスにてFlash同等の機能を実現する不揮発メモリIPコアです。
(1万回相当のEndurance、車載グレード(150℃,20年)のデータ保持特性等)
TwiBit（211.6ＫＢ）
抵抗変化型不揮発性メモリ設計開発
抵抗変化型不揮発性メモリ設計開発を行います。
◆MRAM（スピン注入型）、PRAM（相変化型）等、抵抗変化型不揮発性メモリの周辺回路とレイアウト設計を行ないます。
・抵抗素子の基本動作（特性）
・メモリセル(1T1R、クロスポイントセル)の設計（設定）
・Write/Erase/Readの動作設計
・高速センスアンプ設計
・テスト回路設計
